Flitsgeheue: Verskil tussen weergawes

in Wikipedia, die vrye ensiklopedie
Content deleted Content added
Geskep deur die bladsy "Flash memory" te vertaal
 
Spasie
Lyn 1: Lyn 1:
[[Lêer:USB_flash_drive.JPG|regs|duimnael|'n USB-flitsdryf. Die vlokkie aan die linkerkant is die flitsgeheue. Die toestel se beheerder sit aan die regterkant.]]
[[Lêer:USB_flash_drive.JPG|regs|duimnael|'n USB-flitsdryf. Die vlokkie aan die linkerkant is die flitsgeheue. Die toestel se beheerder sit aan die regterkant.]]
'''Flitsgeheue''' is'n elektroniese (vaste-toestand) nie-vlugtige rekenaarstoormedium wat gebruik kan word elektries uitgewis en herprogrammeer.
'''Flitsgeheue''' is 'n elektroniese (vaste-toestand) nie-vlugtige rekenaarstoormedium wat gebruik kan word elektries uitgewis en herprogrammeer.


[[Toshiba]] het die flitsgeheue uit EEPROM (elektriese uitwisbare programmeerbare lees-alleen geheue) ontwikkel in die vroeë 1980's, en dit begin bemark in 1984. Die twee hoofsoorte flitsgeheue is vernoem na die NAND- en NOR-[[Logiese hek|logika]]<nowiki/>hekke. Die indiwiduele flitsgeheueselle toon interne eienskappe soortgelyk aan dié van die ooreenstemmende hekke.
[[Toshiba]] het die flitsgeheue uit EEPROM (elektriese uitwisbare programmeerbare lees-alleen geheue) ontwikkel in die vroeë 1980's, en dit begin bemark in 1984. Die twee hoofsoorte flitsgeheue is vernoem na die NAND- en NOR-[[Logiese hek|logika]]<nowiki/>hekke. Die indiwiduele flitsgeheueselle toon interne eienskappe soortgelyk aan dié van die ooreenstemmende hekke.

Wysiging soos op 13:57, 19 September 2016

'n USB-flitsdryf. Die vlokkie aan die linkerkant is die flitsgeheue. Die toestel se beheerder sit aan die regterkant.

Flitsgeheue is 'n elektroniese (vaste-toestand) nie-vlugtige rekenaarstoormedium wat gebruik kan word elektries uitgewis en herprogrammeer.

Toshiba het die flitsgeheue uit EEPROM (elektriese uitwisbare programmeerbare lees-alleen geheue) ontwikkel in die vroeë 1980's, en dit begin bemark in 1984. Die twee hoofsoorte flitsgeheue is vernoem na die NAND- en NOR-logikahekke. Die indiwiduele flitsgeheueselle toon interne eienskappe soortgelyk aan dié van die ooreenstemmende hekke.

Terwyl EPROMs heeltemal uitgewis moes word voordat daar herskryf kon word, kan NAND-tipe geheue in blokke (of bladsye) geskryf en gelees word, wat oor die algemeen baie kleiner is as die hele toestel. NOR-tipe flits laat toe dat 'n enkele masjienwoord (byte) op 'n uitgewiste plek geskryf — of onafhanklik gelees word.

Die NAND-tipe bedryf hoofsaaklik in geheue kaarte,USB-flitsdrywe, vaste-toestand dryf (dié van 2009 of later), en soortgelyke produkte, vir algemene stoor en oordrag van data.[1]

Gebruiksvoorbeelde van beide soorte flitsgeheue sluit in persoonlike rekenaars, PDAs, digitale klankspelers, digitale kameras, selfone, synthesizers, videospeletjies, wetenskaplike toerusting, industriële robotika, en mediese elektronika. Benewens die feit dat dit nie-vlugtige geheue bied, verskaf dit vinnige leestoegangstye, hoewel nie so vinnig as statiese RAM of ROM nie.[2] Sy meganiese skokweerstand verklaar sy gewildheid bo hardeskywe in draagbare toestelle, soos sy hoë duursaamheid, die vermoë om hoë druk, temperatuur en onderdompeling in water, ens., te weerstaan.[3]

Verwysings

  1. "A Flash Storage Technical and Economic Primer". flashstorage.com. 30 Maart 2015.
  2. "A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems", S. Mittal and J. Vetter, IEEE TPDS, 2015
  3. "Owners of QM2 seabed camera found". BBC News. 11 Februarie 2010.