Gaan na inhoud

Kopersilisied

in Wikipedia, die vrye ensiklopedie
Eienskappe

Algemeen

Naam Kopersilisied
 
Chemiese formule Cu3Si
Molêre massa
CAS-nommer  
Voorkoms Grys vastestof
Fasegedrag  
Selkonstantes 472 pm; alfa=95,72 (romboëdriese weergawe)[1]  
Ruimtegroep R3 (η-fase)
Smeltpunt 868°C [2]
Kookpunt
Digtheid
Oplosbaarheid Onoplosbaar

Suur-basis eienskappe

pKa

Veiligheid

Flitspunt

Tensy anders vermeld is alle data vir standaardtemperatuur en -druk toestande.

 
Portaal Chemie

Kopersilisiede is verbindings van silikon en koper.

Daar is verkeie kopersilisiede in die Cu-Si-fasediagram geïdentifiseer. Die bekendste is die η(êta)-fase wat gewoonlik as Cu3Si weergegee word maar eintlik effens ryker aan koper is. Ander weergawes is Cu7Si2 of Cu76Si24. Die η-fase smelt kongruent teen 868°C.[2] Solberg het in 1978 die η-fase se struktuur bepaal as romboëdries (trigonaal). Dit is 'n baie kompakte struktuur.[1] Daar is twee koperposisies CuI en CuII, waarvan een op die drietallige as lê. Elke silikonatoom het

  • een Si-buur en een CuI-buur op 0,5166 maal die lengte van die romboëdriese a-as,
  • ses CuII-bure op 0,5235a
  • ses CuI-bure op 0,6025a

Maar Solberg het ook gevind dat teen kamertemperatuur superstukture gevorm kan word wat η' en η'' genoem word. Later elektrondiffraksiewerk het gewys dat die superstrukture baie ingewikkeld is. Meer navorsing is nodig. Daar is ander fases wat nog ryker aan koper is soos die epsilon fase Cu79Si21 of Cu15Si4 en die delta-fase Cu82Si18 wat peritekties ontbind teen 796°C en 726°C.[2]

Gebruike

[wysig | wysig bron]

Cu3Si word gebruik in die suiweringsproses van silikon vir die halfgeleierindustrie. Dit is die sleutel om suiwerhede soos 99,99999% te bereik. Daar is egter 'n toenemende aantal aanwendings in ander gebiede soos vir fotovoltaïese of elektriese doeleindes. Dit word ook as katalisator gebruik vir die vervaardiging van nanodraadjies van halgeleiers en van koolstof. 'n Ander gebied van aanwending is litiumbatterye.[2]

Verwysings

[wysig | wysig bron]
  1. 1,0 1,1 L. Magaud, S. Guillet, T. Lopez-Rios (1996). "Electronic structure of Cu3Si". Physica B: Condensed Matter. 225 (3–4): 225–229. doi:10.1016/0921-4526(96)86775-5.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)
  2. 2,0 2,1 2,2 2,3 Erzsébet Dodony, György Z. Radnóczi, István Dódony (2019). "Low temperature formation of copper rich silicides". Intermetallics. 107: 108–115. doi:10.1016/j.intermet.2019.01.010.{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link)