Gaan na inhoud

Galliumnitried

in Wikipedia, die vrye ensiklopedie
Eienskappe

Algemeen

Naam Galliumnitried 
Sistematiese naam Galliumnitried
Struktuurformule van
Struktuurformule van
Chemiese formule GaN
Molêre massa 83,73 [g/mol][1]
CAS-nommer 25617-97-4[1]  
Voorkoms liggeel vastestof, liggrys poeier[1]  
Reuk reuksloos
Fasegedrag  
Fase wurtziet 
Selkonstantes a=318,9; c=518,6pm[2]  
Ruimtegroep P63mc 
Nommer 186  
Strukturbericht B4 
Fase sfaleriet 
Selkonstantes a=452pm[2]  
Ruimtegroep F43m 
Nommer 216  
Strukturbericht B3
Smeltpunt 800 °C [1]
Kookpunt
Digtheid 6,1 [g-cm3] @20 °C[3]
Oplosbaarheid

Suur-basis eienskappe

pKa

Veiligheid

Flitspunt nie-brandbaar[1]

Tensy anders vermeld is alle data vir standaardtemperatuur en -druk toestande.

 
Portaal Chemie

Galliumnitried is 'n verbinding van gallium en stikstof met formule GaN.

Dit is 'n halfgeleier met 'n bandgaping van 3,4 eV.[4]

Kristalstruktuur

[wysig | wysig bron]

Galliumnitried kan in die kubiese wurtziet-struktuur kristalliseer (B4 in die strukturbericht-klassifikasie of die kubiese sfaleriet-struktuur (B3).

Gebruike

[wysig | wysig bron]

Galliumnitried se wyer bandgaping beteken dat dit hoër spannings en hoër temperature as silikon-MOSFET's kan ondersteun. Hierdie wye bandgaping stel galliumnitried in staat om op opto-elektroniese hoëkrag- en hoëfrekwensietoestelle gebruik te word. Die vermoë om teen baie hoër temperature en spannings te werk as galliumarsenied (GaAs) transistors maak galliumnitriedtoestelle ideale drywingsversterkers vir mikrogolf- en terahertz (ThZ)-toestelle, soos vir beeldvorming.[4]

Verwysings

[wysig | wysig bron]
  1. 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 "gallium nitride". Sigma-Aldrich.
  2. 2,0 2,1 "GaN". ioffe.
  3. "gallium nitride wafer". American elements.
  4. 4,0 4,1 "gallium nitride". GaN Systems.