Indiumfosfied
|
Algemeen | |
|---|---|
| Naam | Indiumfosfied |
 |
 |
| Chemiese formule | InP |
| Molêre massa | 145,8[g/mol][1] |
| CAS-nommer | 22398-80-7[1] |
| Voorkoms | donkergrys vastestof[1] |
| Fasegedrag | |
| Selkonstantes | a= 590 pm[2] |
| Ruimtegroep | F43m |
| Nommer | 216 |
| Strukturbericht | B3 |
| Smeltpunt | 1 070 °C [1] |
| Kookpunt | |
| Digtheid | 4,81 [g/cm3][1] |
| Oplosbaarheid | Onoplosbaar in water |
| Cp(s) | 45,4 [J/molK][1] |
| ΔfHɵ | -88,7 [kJ/mol][1] |
| Sɵf(s) | 59,8 [J/molK][1] |
| ΔfGɵ | -77,0 [kJ/mol][1] |
|
Suur-basis eienskappe | |
| pKa | |
|
Veiligheid | |
| Flitspunt | |
|
Tensy anders vermeld is alle data vir standaardtemperatuur en -druk toestande. | |
Portaal  Chemie
| |
Indiumfosfied is 'n verbinding van indium en fosfor met die chemiese formule InP.
Dit is 'n halfgeleier met 'n bandgaping van 1,3 eV @ 25°C. Die beweeglikheid van die elektrone is baie hoog: ~4600 [cm2/Vs] en van die holtes ~150 [cm2/Vs]. In mengkristalle kan die bandgaping wissel van 0,3 tot 1,3 eV.[1]
Kristalstruktuur[wysig | wysig bron]
Soos die meeste III-V-halfgeleiers kristalliseer die stof in die kubiese sfaleriet-struktuur, wat die kode B3 van die strukturbericht-klassifikasie verteenwoordig.
Vervaardiging[wysig | wysig bron]
Indiumfosfied word gewoonlik verkry deur 'n indiumsout soos InCl3 te laat reageer met 'n anorganise of organiese bron van fosfor. Fosfien is 'n voorbeeld hoewel is baie toksies is. 'n Ander moontlikheid is natriumfosfied.[3]
Gebruike[wysig | wysig bron]
InP is een van die materiale wat reeds gereeld vir halfgeleierlasers vir optiese transceivers gebruik word omdat dit materiaaleienskappe het soos hoë elektronmobiliteit, lae kragverbruik en lae geraasprestasie. Silikon is die halfgeleier wat die meeste in die veld van halfgeleiertoestelle gebruik word, maar vir volgende-generasie kommunikasie-infrastruktuur (5G / 6G kommunikasie, datasentrums), is daar vraag na hoër spoed en groter kapasiteit. Hoewel dit duurder is, wen indiumfosfied in 2023 markvoorkoms om op hierdie nuwe eise te reageer. [4]
Verwysings[wysig | wysig bron]
- ↑ 1,00 1,01 1,02 1,03 1,04 1,05 1,06 1,07 1,08 1,09 "Indium phosphide". PubChem NIH.
- ↑ "InP". Materials project.
- ↑ P.K. Khanna, M.-S. Eum, Ki-Won Jun, Jin-Ook Baeg, Sang Il Seok (2003). "A novel synthesis of indium phosphide nanoparticles". Materials Letters. 57 (30): 4617–4621. doi:10.1016/S0167-577X(03)00371-9.
{{cite journal}}: AS1-onderhoud: gebruik authors-parameter (link) - ↑ "Increased demand for InP semiconductors due to the development of 5G". TecDia.